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BUR51中文资料

BUR51图片

BUR51外观图

  • 大小：65.3KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
  • 标准包装：20
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：60A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：200V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 5A，50A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 5A，4V
  • 功率 - 最大：350W
  • 频率 - 转换：16MHz
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
  • 供应商设备封装：TO-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-2633-5

BUR51供应商

更新时间:2023-01-01 23:21:05
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